機能性材料グループ

 

メンバー紹介

メンバー紹介
 
多田 賢一:主任研究員
      グループリーダー
古川 泰志:出向研究員
岩永 宏平:出向研究員
尾池 浩幸:出向研究員
浅野 祥生:出向研究員
吉冨 史晃:出向研究員
 
 

研究内容

研究内容
 
研究概要
特異な機能を持つ有機金属化合物の設計と合成
本グループでは、これまでに培った有機金属化学や無機化学に関する豊富な知見に基づき、半導体材料や光学材料などの機能材料や、分子触媒として有用な新しい有機金属化合物の創製を目的として研究を進めています。今年度は、引き続きDRAMのフロントエンドや配線を構築する金属薄膜を化学気相蒸着法や原子層堆積法によって作製する際のプリカーサとして有用な、優れた気化特性と高い熱安定性を有する後周期遷移金属錯体の開発を推進します。また、際立った紫外線吸収能や光触媒能を有する新しい金属オキソクラスターの開発にも取り組みます。さらに、今年度は機能性ポリオレフィンやポリアミンなどの製造において、温和な条件下で優れた触媒作用を示す新規錯体の開発も検討します。
   
研究テーマ・内容
1.高い蒸気圧を持つCVD用材料錯体の創製研究
2.高い熱安定性を持つCVD用材料錯体の創製研究
 
 
研究トピックス
■イミド-トリアルコキソNb、Ta錯体の開発
当グループが開発したNb及びTaのイミド−トリアルコキソ錯体、Nb(NtBu)(OtBu)3 (Nb-TTN) 及びTa(NtBu)(OtBu)3 (Ta-TTT) は、常温で液体の新規化合物であり、従来のCVD材料であるNb2(OEt)10やTa2(OEt)10に比べて格段に高い蒸気圧を持ち、適度な熱安定性も併せ持つ新しいCVD用材料錯体です。
   
  新しいCVD材料Ti-DOT
■熱安定性に優れたTi錯体の開発
半導体や光学材料に用いられている酸化チタン薄膜を作製するためのCVD材料として、Ti(tBuNCHCHNtBu)(OiPr)2 (Ti-DOT) を開発しました。Ti-DOTは常温で液体であり、優れた熱安定性を備えているほか、CVD成膜プロセスにおいて従来材料のTi(OiPr)4に比べて数倍の速度効率でTiO2膜を形成することが可能な新しい材料錯体です。
 

グループニュース

グループニュース
  2015-10-01 吉冨史晃研究員が当グループに配属にされました。
  2015-04-01

東海大学大学院修士課程M2の福井崇人君は、引き続き、外研生として研究を継続しています。
  2014-08-01 古川泰志研究員が当グループに配属にされました。
  2014-04-01 東海大学修士1年の福井崇人君が外研生としてグループに加わりました。
  2013-05-01 小礒尚之研究員が当グループに配属されました。
  2013-04-01

北里大学大学院修士課程の倉澤康太郎くんは、学部生から引き続き、外研生として研究を継続しています。
  2012-05-01 浅野祥生研究員が当グループに配属されました。
  2012-04-02 北里大学理学部4年の倉澤康太郎君が、外研生としてグループに加わりました。
 

発表論文・著書

発表論文・著書
 
 
(1) Incubation Time Free CVD-TiO2 Film Preparation Using Novel Precursor of Ti-DOT; H. Chiba, K. Tada, T. Yamamoto*, K. Iwanaga, A. Maniwa, T. Yotsuya*, N. Oshima*, and H. Funakubo, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 1288, mrsf10-1288-g06, p38 (2011).
(2) Incubation Time Free CVD-TiO2 Film Preparation Using a Novel Titanium Precursor, Ti-DOT; 千葉洋一, 多田賢一, 山本俊樹, 岩永宏平, 摩庭 篤, 肆矢忠寛, 大島憲昭, 舟窪 浩, 東ソー研究・技術報告, 第55巻, p3-6 (2011).
(3) A Novel MO Precursor for Metal Tantalum and Tantalum Nitride Film;K. Sekimoto, T. Furukawa, N. Oshima, K. Tada, and T. Yamakawa, Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.914, p161-166 (2006).
(4) A Novel Iridium Precursor for MOCVD; 河野和久, 高森真由美, 多田賢一, 山川哲, 大島憲昭, 亘理総一, 藤沢浩訓, 清水勝, 東ソー研究・技術報告, 第48巻, p2-8 (2004).
(5) A Novel Iridium Precursor for MOCVD; K. Kawano M. Takamori, T. Yamakawa, S. Watari, H. Fujisawa, M. Shimizu, H. Niu, and K. Ohshima, Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.784, p145-150 (2004).
 

学会発表・講演

学会発表・講演
 
(1) K. Iwanaga, K. Tada, H. Chiba, T. Yamamoto, A. Maniwa, T. Yotsuya and N. Oshima : “Development of Novel Silicon Precursors for Low-Temperature CVD/ALD Processes” 220th ECS Meeting(2011)
(2) T. Yamamoto,T. Yamamoto,K. Tada,K. Iwanaga,H. Chiba,A. Maniwa,T. Yotsuya,N. Oshima,H. Funakubo:“Molecular Design and Synthesis of Ti-DOT: A New Titanium Precursor for ALD/CVD without Incubation Time”,2010 MRS Fall Meeeting(2010).
(3) 岩永宏平,多田賢一,千葉洋一,山本俊樹,摩庭篤,肆矢忠寛,大島憲昭:“低温熱CVDを可能にする新規ケイ素材料の開発”,第71回応用物理学会学術講演会(2010).
(4) 摩庭篤,千葉洋一,岩永宏平,山本俊樹,肆矢忠寛,大島憲昭,多田賢一,舟窪浩:“CVD用新規チタン錯体Ti-DOTの成膜特性”,第57回応用物理学関係連合講演会(2010).
(5) 山本俊樹,多田賢一,岩永宏平,摩庭篤,千葉洋一,肆矢忠寛,大島憲昭:“CVD用新規チタン錯体Ti-DOTの合成と物性” ,第57回応用物理学関係連合講演会(2010).
(6) 山本俊樹,多田賢一,岩永宏平,稲葉孝一郎,古川泰志,千葉洋一,摩庭 篤,肆矢忠寛,山川 哲,大島憲昭:“CVDおよびALD薄膜形成用の高熱安定性Ti材料の合成とその物性”,日本化学会第89回春季年会(2009).
(7) T. Yotsuya,H. Chiba,T. Furukawa, T. Yamamoto,K. Inaba,K. Tada,T. Suzuki,K. Fujimoto,H. Funakubo,T. Yamakawa,N. Oshima:“Novel Highly Volatile MOCVD Precursors for Ta2O5 and Nb2O5 Thin Films”,214th Meeting of The Electrochemical Society(2008).
(8) 多田賢一,稲葉孝一郎,古川泰志,山川 哲,大島憲昭:“アミジナト配位子を有する新規なMOCVD用材料錯体の合成および物性”,日本化学会第2回関東支部大会(2008).
(9) 多田賢一,山本俊樹,稲葉孝一郎,古川泰志,千葉洋一,肆矢忠寛,岩永宏平,山川 哲,大島憲昭:“1,3-ジアザジエン配位子を有する新しいCVD用チタン錯体の合成および物性”,第58回錯体化学討論会(2008).
(10) 宮下昌之,山下大輔,藤沢浩訓,清水 勝,多田賢一,山川 哲,河野和久,大島憲昭:“溶液気化MOCVD法によるIr系電極薄膜の作製(Ⅳ)”,第55回応用物理学関係連合講演会(2008).
(11) 多田賢一,千葉洋一,肆矢忠寛,古川泰志,山本俊樹,鈴木孝生,稲葉孝一郎,藤本浩一,山川 哲,大島憲昭:“MOCVD法による酸化タンタルおよび酸化ニオブ薄膜形成用材料錯体の合成および物理的性質:蒸気圧を高めるための分子設計”,日本化学会第88春季年会(2008).
(12) 山下大輔、藤沢浩訓、清水 勝、河野和久、大島憲昭、多田賢一、山川 哲:“溶液気化MOCVD法によるIr系電極薄膜の作製(Ⅲ)”,第68回応用物理学会学術講演会(2007).
(13) 千葉洋一、古川泰志、大島憲昭、多田賢一、山川 哲、舟窪浩:“新規ニオブおよびタンタル錯体を用いたMOCVD法による酸化物膜の形成”,第68回応用物理学会学術講演会(2007).
(14) 多田賢一,山川 哲,稲葉孝一郎,古川泰志,千葉洋一,大島憲昭:“高い蒸気圧を有するMOCVD用ニオブ及びタンタル錯体の合成”,第54回応用物理学関係連合講演会(2007).
(15) 山下大輔,福井秀忠,藤沢浩訓,清水勝,多田賢一,山川哲,河野和久,大島憲昭:“溶液気化MOCVD法によるIr系電極薄膜の作製(Ⅱ)”,第54回応用物理学関係連合講演会(2007).
(16) 千葉洋一,古川泰志,大島憲昭,稲葉孝一郎,多田賢一,山川 哲:“MOCVD用新規アルミニウム錯体の開発”,第54回応用物理学関係連合講演会(2007).
(17) D.Yamashita,H.Fukui,H.Fujisawa,M.shimizu,K.Tada,T.Yamakawa,K.Kawano and N.Oshima:“Preparation of Ir-Based Electrode Thim Films by Liquid-Delivery MOCVD”,The 16th International Symposium on the Application of Ferroelectrics(2007).
 

公開特許

公開特許
 
WO2011/155353
ヒドロシラン誘導体、その製造方法、及びケイ素含有薄膜の製造法
特開2011-088851
チタンアミド錯体の製造方法
特開2010-265257
ジアザシラシクロペンテン誘導体、その製造方法及びケイ素含有薄膜の製法
WO2010/119827
ジアザシラシクロペンテン誘導体、その製造方法及びケイ素含有薄膜の製法
特開2010-030986
チタン錯体、その製造方法、チタン含有薄膜及びその製法
WO2009/157326
チタン錯体、その製造方法、チタン含有薄膜及びその製法
特開2009-046440
ルテニウム化合物、その製造方法、ルテニウム含有薄膜及びその形成方法
特開2008-266280
イミド錯体、その製造方法、金属含有薄膜及びその製造方法
WO2008/026470
イミド錯体、その製造方法、金属含有薄膜及びその製造方法
特開2007-246513
タンタル化合物とその製造方法及びそれを原料とするタンタル含有薄膜とその形成方法
特開2007-153872
チタン錯体、それらの製造方法、チタン含有薄膜及びそれらの形成方法
WO2007/055140
チタン錯体、それらの製造方法、チタン含有薄膜及びそれらの形成方法
WO2007/015436
金属含有化合物、その製造方法、金属含有薄膜及びその形成方法
特開2007-084522
タンタル化合物、その製造方法、タンタル含有薄膜、及びその形成方法
特開2005-256058
イリジウム含有薄膜形成材料およびイリジウム含有薄膜製造方法
特開2005-225855
有機イリジウム化合物、その製造方法、及び膜の製造方法
特開2005-171291
チタン含有薄膜およびそれの製造方法
特開2005-132757
タンタル化合物、その製造方法、及びタンタル含有薄膜の形成方法
特開2005-132756
タンタル化合物、その製造方法、およびタンタル含有薄膜の形成方法
特開2005-097235
新規ビスマス化合物、その製造方法、および膜の製造方法
 

連絡先

連絡先
 
多田賢一
主任研究員
(公財)相模中央化学研究所 機能性材料グループ
〒252-1193 神奈川県綾瀬市早川2743-1
TEL: 0467-76-9267 (居室・実験室)
FAX: 0467-77-4113
E-Mail: k_tada"at"sagami.or.jp ("at"を@に置換して下さい。)
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Dr. Ken-ichi TADA
Senior Research Fellow
Intelligent Material Group
Sagami Chemical Research Institute
Hayakawa 2743-1, Ayase, Kanagawa 252-1193, JAPAN
Phone: +81-467-76-9267 (office & lab.)
Fax: +81-467-77-4113
E-Mail: k_tada"at"sagami.or.jp (replace "at" with @)
公益財団法人
相模中央化学研究所
〒252-1193
神奈川県綾瀬市早川2743-1
TEL.0467-77-4112
FAX.0467-77-4113
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公益目的事業
1.研究に関する事業:学術や産業の進歩・発展に寄与するため、化学に関する基礎研究から産業界との共同研究まで、総合的な研究事業を展開します。
2.研究成果等を広く一般の利用に供する事業:本研究所で生まれた研究成果は逸早く特許出願、学会発表、学術論文投稿等を通じて社会に公開するとともに、 産業界の要望に応じて可能な範囲でライセンスいたします。
3.人材育成に関する事業:大学学部学生や大学院生を受け入れ、化学に関わる基礎から専門的な教育を実施します。
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<<公益財団法人相模中央化学研究所>> 〒252-1193 神奈川県綾瀬市早川2743-1 TEL:0467-77-4112 FAX:0467-77-4113