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since 2002.06.07
 

機能性材料グループ

 

メンバー紹介

メンバー紹介
 
メンバー
多田 賢一:主任研究員
      グループリーダー
古川 泰志:出向研究員
尾池 浩幸:出向研究員
 
 

研究内容

研究内容
 
研究概要
特異な機能を持つ有機金属化合物の設計と合成
本グループでは、これまでに蓄積した無機化学や有機金属化学を根幹とする知見に基づき、半導体素子部材や光学材料として有用な新しい金属錯体の創製を目的として研究を進めています。本年度は、昨年度に引き続いて半導体分野においてニーズが高い金属種に着目し、特に、原子層堆積法や化学気相蒸着法による金属含有薄膜作製材料として適した融点及び蒸気圧を付与した錯体の開発や、それらの安価で安定的な供給を可能とする新しい製造プロセスの確立に注力します。合成した錯体の熱安定性や気化特性などの物性評価、及び成膜評価や素子評価を共同研究先と協力して行い、機能性材料としての有用性を確認し、その結果を新たな錯体分子のデザインに還元しながら、より実用性の高い錯体の開発を推進します。
 
   
研究テーマ・内容
1. 原子層堆積法 (ALD) 用材料錯体の合成研究
2. 化学気相蒸着法 (CVD) 用材料錯体の合成研究
 
 
研究トピックス
ALDによる金属薄膜作製用材料錯体の開発
酸素ガスや水蒸気などの酸化性ガスを用いない条件下において、ALD法による金属薄膜作製が可能なRu錯体及びCo錯体を開発しました。これらはアンモニアを分解ガスとして用いることにより、導電性のRu薄膜やCo薄膜を作製できる新規な材料錯体です。
 
■熱安定性に優れたCVDTi錯体の開発
半導体や光学材料に用いられている酸化チタン薄膜を作製するためのCVD材料として、Ti(tBuNCHCHNtBu)(OiPr)2を開発しました。このTi錯体は常温で液体であり、優れた熱安定性と高い蒸気圧を備えているほか、CVD成膜プロセスにおいて従来材料のTi(OiPr)4に比べて数倍の速度効率でTiO2膜を形成することが可能な新しい材料錯体です。
 

グループニュース

グループニュース
  2014-08-01 古川泰志研究員が当グループに配属にされました。
 

発表論文・著書

発表論文・著書
 
 
(1) Low temperature MOCVD of Ta2O5 dielectric thin films from Ta[NC(CH3)3][OC(CH3)3]3 and O2; H. Chiba, K. Tada, T.Furukawa, T. Yamamoto, T. Yotsuya, N. Oshima and H. Funakubo, Journal of the Ceramic Society of Japan, Vol.124, No.5, p510-514 (2016).
(2) Characterization of Ru thin films from a novel CVD/atomic layer deposition precursor “Rudense” for capping layer of Cu interconnects; A. Maniwa, H. Chiba, K. Kawano, N. Koiso, H. Oike, T. Furukawa, K. Tada. Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.33, No.1, 01A133-1-4 (2015).
(3) Development of Novel Silicon Precursors for Low-Temperature CVD/ALD Processes; 岩永宏平, 山本俊樹, 摩庭 篤, 多田賢一; 東ソー研究・技術報告書, Vol. 56, p. 17-22 (2012).
(4) Incubation Time Free CVD-TiO2 Film Preparation Using Novel Precursor of Ti-DOT; H. Chiba, K. Tada, T. Yamamoto, K. Iwanaga, A. Maniwa, T. Yotsuya, N. Oshima, and H. Funakubo; Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 1288, mrsf10-1288-g06, p. 38 (2011).
 

学会発表・講演

学会発表・講演
 
(1) K. Tada, H. Funakubo, H. Chiba, T. Furukawa, T. Yamamoto, T. Yotsuya, N. Oshima:“Low Temperature MOCVD deposition of Ta2O5 with good dielectric property from Ta(OtBu)3(NtBu) and O2”,The 9th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics(2015)
(2) 浅野祥生, 多田賢一, 木下智之, 森中裕太, 岩永宏平, 川畑貴裕, 原靖, 大島憲昭:“Synthesis and Properties of Novel Ti-O Cluster Thin Film”,第24回日本MRS年次大会(2014)
(3) K. Tada, H. Oike, N. Koiso, A. Maniwa, H. Chiba, Y.Hurukawa, K. Kawano:“Characterization of Ru Thin Film from Novel CVD/ALD Precursor “Rudense” for Cu Cap layer”,14th International Conference on Atomic Layer Deposition(2014)
(4) K. Tada, H. Chiba, T. Yamamoto, A. Maniwa, H. Oike, K. Kawano:“Low Temperature CVD-Ru Film Preparation in Reducing Atmosphere Using Novel Precursor of Rudense”,Advanced Metallization Conference 2013(2013)
(5) 岩永宏平, 山本俊樹, 尾池浩幸, 摩庭篤, 河野和久, 多田賢一:“非酸化条件成膜でのCVD/ALD用新規ルテニウムプリカーサの開発”,国際ALD学会(2013).
 

公開特許

公開特許
 
JP2017-186300
オキソ-アルコキソ錯体の製造方法
JP2017-178833
三核ハフニウムオキソ-アルコキソ錯体及びその製造方法
JP2017-007975
置換シクロペンタジエニルコバルト錯体及びその製造方法、コバルト含有薄膜及びその作製方法
JP2016-222547
コバルト錯体及びその製造方法、コバルト含有薄膜及びその作製方法
JP2016-183114
コバルト錯体及びその製造方法、コバルト含有薄膜及びその作製方法
JP2016-166166
コバルト錯体及びその製造方法、コバルト含有薄膜及びその作製方法
JP2016-147819
第4族金属錯体、その製造方法、第4族金属含有薄膜の作製方法
JP2016-008213
八核ニオブオキソ-アルコキソ錯体及びその製造方法
WO2015/190420
コバルト錯体及びその製造方法、コバルト含有薄膜及びその作製方法殺菌剤
JP2015-124165
第5族金属フェニルイミド-トリアルコキソ錯体及びその製造方法
JP2015-124159
タンタルオキソ-アルコキソ錯体、その製造方法及びタンタル酸化物膜の作製方法
JP2015-124158
ニオブオキソ-アルコキソ錯体、その製造方法及びニオブ酸化物膜の作製方法
JP2015-081246
ルテニウム錯体及びその製造方法、ルテニウム含有薄膜及びその作製方法
JP2015-044786
ルテニウム錯体及びその製造方法、ルテニウム含有薄膜及びその作製方法
JP2015-007018
ルテニウム錯体及びその製造方法、ルテニウム含有薄膜及びその作製方法
JP2014-141473
第5族金属オキソ-アルコキソ錯体、その製造方法及び第5族金属酸化物膜の作製方法
WO2014/104358
第5族金属オキソ-アルコキソ錯体、その製造方法及び第5族金属酸化物膜の作製方法
WO2014/088108
ルテニウム錯体及びその製造方法並びにルテニウム含有薄膜の作製方法
JP2014-047198
ビニレンジアミド錯体とその製造方法及び酸化物膜の作製方法
JP2013-067609
ビニレンジアミド錯体、その製造方法、チタン酸化物膜及びケイ素酸化物膜の作製方法
WO2013/035672
製膜用材料、Ⅳ属金属酸化物膜及びビニレンジアミド錯体
JP2012-126704
ヒドロシラン誘導体、その製造方法、ケイ素含有薄膜の製造法
 

連絡先

連絡先
 
多田賢一
主任研究員
(公財)相模中央化学研究所 機能性材料グループ
〒252-1193 神奈川県綾瀬市早川2743-1
TEL: 0467-76-9267 (居室・実験室)
FAX: 0467-77-4113
E-Mail: k_tada"at"sagami.or.jp ("at"を@に置換して下さい。)
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Dr. Ken-ichi TADA
Senior Research Fellow
Organometallic Group
Sagami Chemical Research Institute
Hayakawa 2743-1, Ayase, Kanagawa 252-1193, JAPAN
Phone: +81-467-76-9267 (office & lab.)
Fax: +81-467-77-4113
E-Mail: k_tada"at"sagami.or.jp (replace "at" with @)
公益財団法人
相模中央化学研究所
〒252-1193
神奈川県綾瀬市早川2743-1
TEL.0467-77-4112
FAX.0467-77-4113
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公益目的事業
1.研究に関する事業:学術や産業の進歩・発展に寄与するため、化学に関する基礎研究から産業界との共同研究まで、総合的な研究事業を展開します。
2.研究成果等を広く一般の利用に供する事業:本研究所で生まれた研究成果は逸早く特許出願、学会発表、学術論文投稿等を通じて社会に公開するとともに、 産業界の要望に応じて可能な範囲でライセンスいたします。
3.人材育成に関する事業:大学学部学生や大学院生を受け入れ、化学に関わる基礎から専門的な教育を実施します。
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<<公益財団法人相模中央化学研究所>> 〒252-1193 神奈川県綾瀬市早川2743-1 TEL:0467-77-4112 FAX:0467-77-4113